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CN119767679A 一种TiN掺杂Si3N4存储层的电荷俘获型存储器的制备方法 （华中科技大学）.pdfVIP

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  • 2026-06-27 发布于重庆
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CN119767679A 一种TiN掺杂Si3N4存储层的电荷俘获型存储器的制备方法 （华中科技大学）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119767679A

    (43)申请公布日2025.04.04

    (21)申请号202411867049.7

    (22)申请日2024.12.18

    (71)申请人华中科技大学

    地址430000湖北省武汉市洪山区珞喻路

    1037号

    (72)发明人刘璐江春阳朱元慧梁秋雯

    程晓敏徐静平

    (74)专利代理机构武汉慕名专利代理事务所

    (普通合伙)42310

    专利代理师曹树珍

    (51)Int.Cl.

    H10B43/30(2023.01)

    H10D64/68(2025.01)

    H10D64/27(2025.

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