室温下非易失性分子级存储单元：操作设计与分子动力学模拟的深度剖析.docxVIP

室温下非易失性分子级存储单元：操作设计与分子动力学模拟的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，半导体工业在过去几十年中取得了举世瞩目的成就，推动了电子设备的小型化、高性能化和多功能化。集成电路作为现代信息技术的核心，其线宽的不断缩小一直是半导体技术发展的主要驱动力，遵循着摩尔定律所描述的规律，即集成电路上可容纳的晶体管数目大约每18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。然而，当集成电路线宽逐渐逼近物理极限，如35纳米甚至更低时，一系列严峻的问题接踵而至，对传统的半导体技术发展形成了巨大挑战。

从物理层面来看，当线宽减小到纳米尺度时，量子尺寸效应变