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纳米结构赋能：GaN基光电器件的制备工艺与性能优化探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，光电器件在现代社会的各个领域中发挥着至关重要的作用，从日常的照明、显示设备，到高速通信、医疗诊断等高端技术领域，光电器件的性能直接影响着相关技术的发展和应用。在众多用于制备光电器件的材料中，氮化镓（GaN）凭借其卓越的性能，成为了研究的热点和焦点。

GaN材料具有宽禁带、高电子迁移率、高饱和漂移速度和良好的热稳定性等一系列优异特性。其宽禁带特性使其在高功率、高频率以及高温环境下的应用中展现出巨大优势。在高功率电子器件领域，如电动汽车的功率逆变器、智能电网的电力转换设备以及5G通信