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GaN1

内容人类发光照明的历史LED的发展史GaN的发展历史GaN的性质GaN的应用GaN的制备方法GaN的市场前景2

人类发光照明的历史

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LED的发展史

1962年GaAs19８９年GaN4

LED的内部结构5

红光和蓝光有什么不同？材料能隙（禁带宽度）的不同导致发光颜色的不同λ=1024/Eg（nm）ＧａＡｓ：１．４ｅＶＧａＮ：３．４ｅＶ电子和空穴复合才能发光6

为什么蓝光和绿光出现得比红光晚？GaAs衬底蓝宝石衬底GaAsＬＥＤ结构GaＮＬＥＤ结构同质外延—红光异质外延—蓝绿光缺乏合适的衬底材料7

同质外延和异质外延同质外延异质外延8

异质外延的缺点生长后晶体质量差，缺陷多做成器件后发光效率低器件的使用寿命短9

GaN衬底隆重登场-------为同质外延而生10

GaN的发展历史

GaN的研究始于20世纪60年代1986年用MOCVD在蓝宝石上成功生长出GaN薄膜1989年成功实现Ｐ型掺杂的GaN1994年蓝光ＬＥＤ开始商业化1996年蓝光激光器研发成功11

GaN的性质原子结构：六角密排结构12

GaN的性质ac13

GaN的性质宽禁带半导体直接带隙半导体Jpn.J.Appl.Phys.54,030101(2015)14

GaN的性质Jpn.J.Appl.Phys.54,030101(20