CN119817183A 半导体结构及其制作方法、存储器及存储器系统 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119817183A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202380009754.0

(22)申请日2023.06.16

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2023.08.17

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/CN2023/1007542023.06.16

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/254860ZH2024.12.19

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430205湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人刘雅琴刘威陈亮刘子琛王言虹

(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限

公司44570

专利代理师孟霞

(51)Int.Cl.

H10B12/00(2023.01)

(54)发明名称

半导体结构及其制作方法、存储器及存储器

系统

(57)摘要

CN119817183A本申请提供一种半导体结构及其制作方法、存储器及存储器系统，该方法包括：形成沿堆叠方向贯穿第一堆叠层的多个电容孔，第一堆叠层包括第一区域和第二区域，电容孔位于第一区域和第二区域中；在电容孔内壁上形成第一电极层；在第一区域和第二区域中形成介电层；在介电层背离第一堆叠层的一侧形成第二电极层；去除第二区域中第一堆叠层