原创力文档CMOS集成电路制造工艺流程
陕西国防工业职业技术学院
课程报告
高的台阶给以后台阶覆盖带来困难台阶太高会产生覆盖死角去除与有源区处的重新生长一层薄薄的栅氧生长一层多晶硅光刻多晶硅栅极三次光刻刻蚀栅极以外的多晶硅去胶光刻离子注入窗口四次光刻刻蚀窗口处的去胶在窗口处注入型杂质形成的源漏区与衬底欧姆接生长光刻
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