CN119824530A SiC外延生长装置的副产物除去方法 （纽富来科技股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119824530A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202510040979.3

(22)申请日2020.04.08

(30)优先权数据

2019-0772042019.04.15JP

(62)分案原申请数据

202080007995.82020.04.08

(71)申请人纽富来科技股份有限公司地址日本

(72)发明人水岛一郎醍醐佳明森山义和

(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司72002

专利代理师吴倩

(51)Int.Cl.

C30B25/14(2006.01)

C30B29/36(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图8页

(54)发明名称

SiC外延生长装置的副产物除去方法

(57)摘要

CN119824530A一实施方式涉及的SiC外延生长装置具备：腔室，其中被导入至少含有硅及碳的工艺气体，且能够收纳通过工艺气体来成膜的基板；配管，其将含有伴随基板的成膜而生成的副产物的气体从腔室排出；和压力控制用的阀，其设置于配管的中途。阀具有：气体从将腔室与阀连通的配管的上游部分流入的流入口、和使气体朝经由阀而与上游部分连通的配管的下游部分流出的流出口。至少在比流入口低的位置设置上游部分的一部分，或在比流出口低的位置设