CN119824394A 薄膜及其制备方法 （合肥晶合集成电路股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119824394A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202510309855.0

(22)申请日2025.03.17

(71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

地址230012安徽省合肥市新站区合肥综

合保税区内西淝河路88号

(72)发明人朱瑶杨军

(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限

公司44224

专利代理师杨明莉

(51)Int.Cl.

C23C16/455(2006.01)

C23C16/52(2006.01)

C23C16/505(2006.01)

C23C16/44(2006.01)

权利要求书1页说明书7页附图6页

(54)发明名称

薄膜及其制备方法

(57)摘要

CN119824394A本发明涉及一种薄膜及其制备方法，涉及半导体技术领域，该薄膜的制备方法中，在第一预设时间内，在反应腔体中通入第一反应源和第二反应源形成第一薄膜，然后在第二预设时间，停止第一反应源通入的同时，增加通入第二反应源的物质的量，使反应腔体内的环境维持稳定状态，将剩余的第一反应源和第二反应源继续完全反应形成与第一薄膜的材料相同的第二薄膜，然后再在第三预设时间，对晶圆进行清洗得到晶圆上的薄膜结构。由于反应腔体内的反应环境维持稳定状态，