CN119828201A 一种基于半导体传感器的束晕探测装置及方法 （散裂中子源科学中心）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119828201A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202510261576.1

(22)申请日2025.03.06

(71)申请人散裂中子源科学中心

地址523000广东省东莞市大朗镇中子源

路1号

申请人中国科学院高能物理研究所

(72)发明人杨仁俊

(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332

专利代理师初春

(51)Int.Cl.

G01T1/29(2006.01)

权利要求书2页说明书12页附图6页

(54)发明名称

一种基于半导体传感器的束晕探测装置及

方法

(57)摘要

CN119828201A本发明公开了一种基于半导体传感器的束晕探测装置及方法，装置包括：半导体传感器、驱动模块、数据采集模块和处理模块；驱动模块的第一端与半导体传感器连接，驱动模块的第二端与处理模块的第一端连接，驱动模块用于沿第一方向移动半导体传感器以对束晕进行扫描，半导体传感器的第二端与数据采集模块连接；半导体传感器用于根据束晕的扫描信号生成对应的射频电信号；数据采集模块用于接收射频电信号并传输至处理模块；处理模块根据射频电信号计算束晕的束晕分布。本发明提供的束晕探测装置通过半导体传感器对束晕进行探测从而获得束晕分布，不仅具有足够高的信噪比，还可以实现大于