山东大学半导体物理真题试卷及答案.docxVIP

山东大学半导体物理真题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

选择题（10题，每题2分）

1.本征半导体的费米能级位于：

A.导带底部

B.价带顶部

C.禁带中央

D.导带与价带之间任意位置

2.n型半导体的主要载流子是：

A.电子

B.空穴

C.正离子

D.负离子

3.当温度升高时，n型半导体的费米能级：

A.保持不变

B.向导带底部移动

C.向本征费米能级靠近

D.向价带顶部移动

4.禁带宽度的定义是：

A.导带顶部与价带底部之间的能量差

B.费米能级与导带底部之间的能量差

C.电子从价带跃迁到导带所需的最小能量

D.声子能量与电子能量的差值

5.MOS结构中，形成强反型层的条件是：

A.表面势ψs2φF

B.表面势ψs2φF

C.栅极电压Vg=0

D.衬底掺杂浓度为零

6.载流子散射的主要机制不包括：

A.晶格散射

B.杂质散射

C.光子散射

D.载流子间散射

7.间接带隙半导体的带间跃迁需要：

A.仅电子参与

B.仅声子参与

C.电子和声子同时参与

D.光子参与

8.pn结