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ZnO薄膜的制备工艺对其晶体管性能影响的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子技术飞速发展的背景下，对高性能半导体器件的需求日益增长，薄膜晶体管作为构建各类电子设备的关键组件，其性能的优化与提升成为研究焦点。ZnO薄膜作为一种极具潜力的半导体材料，在晶体管应用中展现出诸多独特优势。

ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带直接带隙化合物半导体，室温下禁带宽度约为3.3eV，具有与氮化镓（GaNⅢ-V）半导体相似的电气和物理特性。它具备原材料丰富、价格低廉的特点，这使得大规模生产ZnO基器件在成本上更具可行性，为降低电子设备的制造成本提供了可能。其沉积温度相对较低，在