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CN119650417A 一种无需台阶刻蚀的碳化硅欧姆接触电极结构及制备方法 （西安交通大学）.pdfVIP

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  • 2026-07-03 发布于重庆
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CN119650417A 一种无需台阶刻蚀的碳化硅欧姆接触电极结构及制备方法 （西安交通大学）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119650417A

    (43)申请公布日2025.03.18

    (21)申请号202411823652.5

    (22)申请日2024.12.12

    (71)申请人西安交通大学

    地址710049陕西省西安市碑林区咸宁西

    路28号

    (72)发明人吴晨方续东张仲恺田边

    赵立波张俊龙前田龙太郎

    (74)专利代理机构西安智大知识产权代理事务

    所61215

    专利代理师弋才富

    (51)Int.Cl.

    H01L21/04(2006.01)

    H01L21/28(2025.01)

    权利要求书2页说明书

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