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多晶硅生产高沸物裂解工艺优化方案.pdf

多晶硅生产高沸物裂解工艺优化方案.pdf

    （19）中华人民共和国国家知识产权局

    （12）发明专利申请

    述承插管用于导出沉降后位于上层的低聚物混合物使低聚物混合物催化裂解反应能更高效的进行法律状态法律状态公告日法律状态信息法律状态公开公开实质审查的生效公开公开实质审查的生效权利要求说明书多晶硅生产中高沸物裂解工艺的权利要求说明书内容是请下载后

    （10）申请公布号

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