量子点发光二极管QLED器件结构优化与色纯度提升研究 (2).docxVIP

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量子点发光二极管QLED器件结构优化与色纯度提升研究

摘要

广色域显示对发光器件的色纯度与效率提出了严苛要求。量子点发光二极管凭借窄发射光谱和高量子效率成为新一代显示技术的核心候选，但现有器件仍面临光谱展宽和载流子注入失衡的双重挑战。本设计以同时实现半峰全宽（FWHM）小于25nm且外量子效率（EQE）超过20%为目标，提出一种多层电荷传输层与量子点尺寸分布协同优化的方案。

论文首先从显示产业需求出发，分析了QLED器件色纯度不足的根源，并明确了设计边界。随后，系统梳理了量子点发光机理和电荷传输层材料特性，为技术选型提供依据。在需求分析基础上，论文将总体设计分解为量子点发光层、电子传输层、空穴传输层和界面修饰层四个功能模块，构建了多层能级匹配的器件架构。

详细设计部分深入阐述了尺寸选择沉淀法实现FWHM25nm的工艺逻辑，以及利用ZnO/LiF与TCTA/MoO?双层结构平衡载流子注入的物理模型。实现阶段展示了器件制备流程与性能表征，最终获得FWHM=22nm、EQE=22.5%的绿光器件，色域覆盖率达95%DCI-P3。测试验证了所有设计指标，并分析了效率滚降的原因。本设计的创新在于将量子点尺寸分布精控与多层电荷传输层载流子管理相结合，为高性能QLED显示器件的工程化提供了可行路径。

第一章绪论

1.1研究背景

超高分辨率显示、虚拟现实和增强现实等应