100V 1.7A N沟道增强型功率MOSFET特性与应用.pdfVIP

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仙童

公司

2013年3月

FQT7N10

N沟道QFET®MOSFET

100V，1.7A，350mΩ

描述

此N沟道增强型功率MOSFET采用FairchildSemiconductor®的专有平面条纹和

DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术特别优化以降低导通电阻，并卓越的开

关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可

变开关电源应用。

特性

•1.7A，100V，RDS(导通)=350mΩ(最大)@VGS=10V，ID=0.85A

•低栅极电荷（典型值5.8nC）

•低交叉（典型值10pF）

•100%雪崩测试

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FAIRCHILD

SEMICONDUCTOR?

March2013

FQT7N10

N-ChannelQFET®MOSFET

100V,1.7A,350mΩ