CN119833509A 半导体装置以及其制作方法 （联华电子股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119833509A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202311321412.0

(22)申请日2023.10.12

(71)申请人联华电子股份有限公司地址中国台湾新竹市

(72)发明人杨晋嘉林大钧蔡馥郁蔡滨祥

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105

专利代理师王锐

(51)Int.Cl.

H01L23/528(2006.01)

H01L21/48(2006.01)

权利要求书3页说明书13页附图10页

(54)发明名称

半导体装置以及其制作方法

(57)摘要

CN119833509A本发明公开了一种半导体装置以及其制作方法，其中该半导体装置包括装置层、设置在装置层之上的层间介电层、第一互连结构、第二互连结构以及第一介电层。层间介电层包括第一部分设置在第一装置区之上以及第二部分设置在第二装置区之上。第一部分的上表面在垂直方向上低于第二部分的上表面。第一互连结构包括多条第一导线部分位于第一部分中。第二互连结构包括多条第二导线位于第二部分中。第一介电层设置在第一部分上，第一介电层的一部分被夹设在相邻两条第一导线之间，且第一介电层的底表

CN119833509A

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