半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分：边缘卷曲法（ROA）.docxVIP

ICS77.040CCSH21

中华人民共和国国家标准

GB/T43894.2—2026

半导体晶片近边缘几何形态评价

第2部分:边缘卷曲法(ROA)

Practicefordeterminingsemiconductorwafernear-edgegeometry—

Part2:Roll-offamount(ROA)

2026-01-28发布2026-08-01实施

国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会

发布

GB/T43894.2—2026

Ⅰ

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

本文件是GB/T43894《半导体晶片近边缘几何形态评价》的第2部分。GB/T43894已经发布了以下部分:

—第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD);

—第2部分:边缘卷曲法(ROA)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口