CN119834749A 一种谐振器的制造方法及谐振器 （深圳新声半导体有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119834749A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202510323814.7

(22)申请日2025.03.19

(71)申请人深圳新声半导体有限公司

地址518000广东省深圳市福田区梅林街

道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园3栋801

(72)发明人胡威威邹洁冯端

(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限

公司44570

专利代理师龙平

(51)Int.Cl.

H03H3/02(2006.01)

H03H9/02(2006.01)

H03H9/17(2006.01)

H03H9/56(2006.01)

H03H9/58(2006.01)

权利要求书2页说明书10页附图6页

(54)发明名称

一种谐振器的制造方法及谐振器

(57)摘要

CN119834749A本发明公开一种谐振器的制造方法及谐振器，包括：依次层叠制作第一电极层、压电层以及第二电极层；制作贯通第二电极层的第一孔并得到多个第二电极，压电层的部分表面于第一孔露出；压电层露出的表面上制作通槽并得到多个压电体，通槽位于两个第二电极之间；制作包括多个凸起部的牺牲层，相邻两个凸起部形成凹槽，通槽于凹槽露出；制作截止边界层，以覆盖凸起部的一侧、凹槽壁面、