CN119835980A 一种低阈值电压的vdmosfet器件及其制备方法 （杭州谱析光晶半导体科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119835980A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202510309930.3

(22)申请日2025.03.17

(71)申请人杭州谱析光晶半导体科技有限公司

地址310000浙江省杭州市萧山区瓜沥镇

航钱路168号3幢4层405（自主分割）

(72)发明人许一力李鑫刘倩倩

(74)专利代理机构深圳市励知致远知识产权代理有限公司44795

专利代理师孙平

(51)Int.Cl.

H10D30/66(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

权利要求书2页说明书5页附图5页

(54)发明名称

一种低阈值电压的VDMOSFET器件及其制备

方法

(57)摘要

CN119835980A本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种低阈值电压的VDMOSFET器件，包括漏极、半导体外延层、源极、栅极以及覆盖在栅极表面的栅氧化层，所述半导体外延层内部通过离子注入形成有N衬底层、N漂移层、N阱层、P阱层和重掺杂P层，所述栅极包括有三角栅极和矩形栅极，所述覆盖在三角栅极表面的栅氧化层与N衬底层接触，并且所述栅氧化层将N漂移层分为左右两个部分。本发明