CN119835941A 半导体结构及其制备方法、三维存储器 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119835941A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202311335985.9

(22)申请日2023.10.12

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430000湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人曹开俊张文博彭盛陆智勇余凯程朝晖李张宜高晶

霍宗亮

(74)专利代理机构北京中博世达专利商标代理

有限公司11274

专利代理师申健

(51)Int.Cl.

H10B43/27(2023.01)

H10B43/35(2023.01)

H10B43/50(2023.01)

权利要求书3页说明书21页附图24页

(54)发明名称

半导体结构及其制备方法、三维存储器

(57)摘要

CN119835941A本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决制备工艺复杂的问题。半导体结构包括：堆叠结构、第一沟道层、选择栅、第二沟道层、栅极介质层以及位线接触结构。堆叠结构包括交替层叠设置的第一介质层和栅极层。第一沟道层沿第一方向贯穿堆叠结构。选择栅位于堆叠结构上。第二沟道层至少部分围绕选择栅，第二沟道层靠近堆叠结构的一侧与第一沟道层