CN119835942A 半导体存储器装置、系统及其制造方法 （爱思开海力士有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119835942A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202411985958.0

(22)申请日2021.01.15

(30)优先权数据

10-2020-01201952020.09.18KR

(62)分案原申请数据

202110055795.62021.01.15

(71)申请人爱思开海力士有限公司地址韩国京畿道

(72)发明人郑基昶金南局

(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限

公司11127

专利代理师刘久亮黄纶伟

(51)Int.Cl.

H10B43/35(2023.01)

H10B43/40(2023.01)

H10B43/27(2023.01)

权利要求书5页说明书15页附图18页

(54)发明名称

半导体存储器装置、系统及其制造方法

(57)摘要

CN119835942A本公开提供一种半导体存储器装置、系统及其制造方法。一种半导体存储器装置包括栅极叠层和多个沟道结构。栅极叠层包括彼此隔开的多个层叠的导电图案。多个沟道结构穿过栅极叠层形成。每一个沟道结构包括第一沟道柱、第二沟道柱和栅极绝缘层。第一沟道柱穿过除了最上面的导电图案之外的导电图案形成。第二沟道柱穿过最上面的导电图案形成。第二沟道柱被配置为与第一