CN119835979A 高散热性的SiC VDMOSFET结构及其制备方法 （杭州谱析光晶半导体科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119835979A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202510309910.6

(22)申请日2025.03.17

(71)申请人杭州谱析光晶半导体科技有限公司

地址310000浙江省杭州市萧山区瓜沥镇

航钱路168号3幢4层405（自主分割）

(72)发明人许一力李鑫刘倩倩

(74)专利代理机构深圳市励知致远知识产权代理有限公司44795

专利代理师孙平

(51)Int.Cl.

H10D30/66(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H01L23/367(2006.01)

H10D30/01(2025.01)

权利要求书2页说明书4页附图4页

(54)发明名称

高散热性的SiCVDMOSFET结构及其制备方

法

(57)摘要

CN119835979A本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了高散热性的SiCVDMOSFET结构，包括有若干个相互并列的MOS元胞，MOS元胞包括有金属漏极、半导体外延层、金属源极以及覆盖在金属源极表面的栅氧化层，半导体外延层内离子注入形成N衬底层、N漂移层、N阱层、重掺杂P层以及P阱层；单个MOS元胞两侧均设有源极掺杂层，源极掺杂层与金属源极欧姆接触，源极掺杂层为砷化镓