CN119836115A 自供电偏振光电探测器、其制备方法及其偏振比的调控方法 （河北大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119836115A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202510043216.4

(22)申请日2025.01.10

(71)申请人河北大学

地址071002河北省保定市五四东路180号

(72)发明人杨政郭林娟王淑芳杨潇然高琳洁李磊朋丛日东

(74)专利代理机构石家庄国域专利商标事务所

有限公司13112

专利代理师胡素梅

(51)Int.Cl.

H10K30/60(2023.01)

H10K30/20(2023.01)

H10K71/12(2023.01)

H10K71/40(2023.01)

H10K71/70(2023.01)

H10K85/50(2023.01)

权利要求书1页说明书7页附图4页

(54)发明名称

自供电偏振光电探测器、其制备方法及其偏

振比的调控方法

(57)摘要

CN119836115A本发明提供了一种自供电偏振光电探测器、其制备方法及其偏振比的调控方法。本发明中自供电偏振光电探测器的结构自下而上包括导电基底层、二维钙钛矿铁电薄膜层、半导体材料层和金属顶电极层。二维钙钛矿铁电薄膜层与半导体材料层可形成具有偏振性质的异质结。通过对偏振光电探测器施加不同的极化电压，调控二