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Ga2O3的研究现状文献综述

生长方式

大面积的单晶?-Ga2O3晶圆的生长方法是推动Ga2O3基电子器件发展的一个重要因素。因为相对于SiC衬底的升华法的生长方式，大面积?-Ga2O3单晶以熔体法的生长方式更为经济，如此有利于降低基于Ga2O3基电子器件的制造成本，这往往也是该产品能否进行大批量商业化的基本条件之一。?-Ga2O3单晶可以使用多种技术生长，如柴可拉斯基法（CZ），悬浮区熔法（FZ），导模法（EFG）[6-8]，以及布里奇曼法（VBorHB）[28]。其中，EFG方法是目前生长大面积单晶?-Ga2O3最常用的一种。目前，基于该方法生产出的大面积的?-Ga2