CN119836599A 导电膜的制造方法、掩膜的制造方法、半导体器件的制造方法、导电膜的缺陷检查方法及缺陷检查装置 （三菱化学株式会社）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119836599A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202380064323.4

(22)申请日2023.09.14

(30)优先权数据

2022-1461182022.09.14JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.03.06

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2023/0334972023.09.14

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/058243JA2024.03.21

(71)申请人三菱化学株式会社

地址日本国东京都千代田区丸之内一丁目1番1号

(72)发明人要俊辅高桥年哉

(74)专利代理机构上海华诚知识产权代理有限

公司31300

专利代理师李晓

(51)Int.Cl.

G03F1/72(2006.01)

B32B27/00(2006.01)

G03F7/20(2006.01)

G01N21/95(2006.01)

H01L21/66(2006.01)

权利要求书4页说明书25页附图1页

(54)发明名称

导电膜的制造方法、掩膜的制造方法、半导体器件的制造方法、导电膜的缺陷检查方法及缺陷检查装置

(57)摘要

CN119836599A根据本发明，提供一种缺陷检测精度高