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光量子计算中的单光子源（SPAD）的淬灭电路与死区时间优化设计

摘要

在光量子计算、量子密钥分发等前沿领域，单光子源是构建可靠量子比特与安全通信链路的核心器件。InGaAs单光子雪崩二极管（SPAD）因其在近红外波段的高探测效率被广泛采用，但被动淬灭方式导致的长死区时间严重制约了单光子计数率与系统工作频率，成为制约量子信息处理实用化的瓶颈之一。本课题针对InGaAsSPAD被动淬灭死区长达微秒量级、计数率难以突破10MHz的问题，设计一种基于高速比较器与数字逻辑控制的主动淬灭与复位电路，将死区时间压缩至10ns量级，并完成暗计数率与后脉冲概率的实验验证。论文按照“需求分析→总体设计→详细设计→实现→测试”的工程递进思路展开：第一章分析光量子计算对单光子源性能的迫切需求与现有方案局限；第二章阐述SPAD工作原理、淬灭电路技术及比较器选型；第三章提炼系统功能与非功能需求，建立用例模型；第四章给出系统总体架构与模块划分；第五章深入设计主动淬灭、死区控制与信号整形等核心模块；第六章呈现电路实现与关键波形；第七章开展暗计数与后脉冲测试并分析结果；第八章总结工作并展望未来改进方向。设计的核心创新点在于采用“快速检测-主动淬灭-精确延时复位”的闭环控制策略，在保证淬灭可靠性的前提下将死区时间降至10ns，并利用双门控模式抑制后脉冲，为高计数率单光子源在量子计算中的应用提