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半导体物理计算题目及答案详解50题

1.已知某半导体的本征载流子浓度\(n_i=1.5×10^{10}cm^{-3}\)，在一定温度下，其电子浓度\(n=3×10^{15}cm^{-3}\)，求此时空穴浓度\(p\)。（5分）

2.某半导体材料的禁带宽度\(E_g=1.2eV\)，求其本征载流子浓度\(n_i\)在\(T=300K\)时的值。（已知\(k=1.38×10^{-23}J/K\)）（6分）

3.一硅半导体，施主杂质浓度\(N_d=10^{16}cm^{-3}\)，受主杂质浓度\(N_a=10^{15}cm^{-3}\)，求室温下的电子浓度\(n\)和空穴浓度\(p\)。（7分）

4.某半导体在\(T=300K\)时，本征载流子浓度\(n_i=10^{10}cm^{-3}\)，当掺入一定量杂质后，电子浓度\(n=10^{16}cm^{-3}\)，求此时的空穴浓度\(p\)以及杂质半导体的类型。（6分）

5.已知半导体的迁移率\(\mu_n=1350cm^2/(V·s)\)，\(\mu_p=480cm^2/(V·s)\)，电场强度\(E=10V/cm\)，求电子和空穴的漂移速度\(v_n\)和\(v_p\)。（6分）

6.一硅半导体样品，施主杂质浓度\(N_d=5×10^{15}cm^{-3}\)，求室