1;8.1硅光技术
8.1.1.概述;由于硅是间接带隙半导体(见1.2.5节),其光发射效率较低,难以直接制作高效的光源。因此,现代硅光子技术通常采用直接带隙III-V族半导体材料(如砷化镓GaAs或磷化铟InP)制作的激光器作为光源,通过异质集成或外部耦合的方式与硅基芯片进行连接。这种混合集成方案可以充分利用III-V族材料优异的发光效率,同时保持与硅基工艺的兼容性。;8.1.2英特尔硅基光电子芯片平台;图8.1.3三种不同的多波长激光器实现方案
a)8通道DFB阵列接入AWGb)8通道DFB阵列频谱图c)200GHz间距的多段硅波导光栅单腔4λ激光器设计
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