CN119836400A 中空粒子及其制造方法 （世拓拉斯控股公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119836400A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202380038944.5

(22)申请日2023.05.02

(30)优先权数据

2022-0939632022.06.09JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2024.11.07

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2023/0171072023.05.02

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2023/238558JA2023.12.14

(71)申请人世拓拉斯控股公司地址日本

(72)发明人中村司陶阮维方通口雄哉

(74)专利代理机构中国贸促会专利商标事务所

有限公司11038

专利代理师吴宗颐

(51)Int.Cl.

C01B33/193(2006.01)

权利要求书1页说明书19页附图5页

(54)发明名称

中空粒子及其制造方法

(57)摘要

CN119836400A本发明提供一种介电特性优异的中空粒子。本发明实施方式的中空粒子具有内部为中空的壳。上述壳为含有铝的二氧化硅。上述铝的存在量在第一部位多于第二部位。上述第一部位位于上述壳中的上述壳的厚度方向的内侧。上述第二部位与上述第一部位相比位于上述壳中的上述

CN119836400A

CN