CN119836678A 用于形成具有单晶结构的层的方法、系统和设备 (应用材料公司).docxVIP

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  • 2026-07-07 发布于山西
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CN119836678A 用于形成具有单晶结构的层的方法、系统和设备 (应用材料公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119836678A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202380063983.0

(22)申请日2023.07.28

(30)优先权数据

63/393,6812022.07.29US

18/226,0072023.07.25US

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.03.05

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/US2023/0289092023.07.28

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/026051EN2024.02.01

(71)申请人应用材料公司

地址美国加利福尼亚州

(72)发明人赵庆华程睿D·帕夫洛普洛斯K·嘉纳基拉曼

(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公

司31100

专利代理师付尉琳侯颖媖

(51)Int.Cl.

H01L21/02(2006.01)

H01L21/67(2006.01)

H01J37/32(2006.01)

权利要求书3页说明书9页附图5页

(54)发明名称

用于形成具有单晶结构的层的方法、系统和

设备

(57)摘要

CN119836678A本公开案的实施例大体是关于用于形成具有单晶结构的层的方法、系统和设备。在一个实施中,一种处理基

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