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半导体刻蚀设备上部电极技术详解.pdf

半导体刻蚀设备上部电极技术详解.pdf

    （19）中华人民共和国国家知识产权局

    （12）实用新型专利

    增大其上圆柱孔的直径增大下圆柱孔的数量增多本实用新型改善刻蚀均一性延长了使用寿命法律状态法律状态公告日法律状态信息法律状态授权专利申请权专利权的转移专利权的终止授权专利申请权专利权的转移专利权的终止权利要求说明书半导体刻蚀设备的上部电极的权（10）申请公布号

    CN201181693Y

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