GaN HEMT器件在高频PFC电路中EMI噪声建模与滤波器优化设计.docxVIP

PAGE2

GaNHEMT器件在高频PFC电路中EMI噪声建模与滤波器优化设计

摘要

随着宽禁带半导体技术的快速发展，氮化镓高电子迁移率晶体管因其高频、高效的特性，在功率因数校正电路中展现出巨大潜力。然而，GaN器件极高的开关速度带来了严重的电磁干扰问题，传统经验设计的EMI滤波器体积庞大，制约了电源系统小型化。本课题以高频PFC电路为研究对象，旨在建立精确的GaN器件高频寄生参数模型，仿真预测传导EMI频谱，并针对性优化π型滤波器设计，以减小滤波器体积。

全文遵循工程递进思路展开。首先，分析了高频PFC电路的EMI痛点与滤波器小型化需求；其次，提取了GaN器件及电路的高频寄生参数，构建了共模与差模噪声源模型；接着，通过时域仿真与频域变换，获取了传导EMI频谱特征；随后，基于噪声频谱裕度，精确推导了π型滤波器的截止频率，并完成了元件选型与优化；最后，制作了实验样机并进行了EMI测试验证。本设计的核心创新在于基于高频寄生参数的精确建模，打破了传统经验设计余量过大的局限，实现了π型滤波器截止频率的针对性配置，最终在满足CISPR22标准的前提下，将滤波器体积减小了约30%。

第一章绪论

1.1研究背景

在现代电力电子技术领域，追求高效率与高功率密度已成为行业发展的核心趋势。为了实现这一目标，开关频率的不断提升是关键手段之一。传统的硅基功率器件由于材料特性的限制，在高频应用