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GaN功率集成电路的栅极驱动器的米勒平台电荷抽取与负压关断电路设计

摘要

氮化镓（GaN）功率器件因其高频、低导通电阻等优势，在紧凑型高效电源中应用日益广泛。然而，GaN器件无雪崩能力且阈值电压极低，在高频开关过程中极易因米勒效应引发误导通，严重威胁系统可靠性。针对这一核心痛点，本设计提出一种集成有源米勒钳位与负压关断的栅极驱动电路，旨在解决GaN器件在桥式电路中的寄生导通问题，并降低开关损耗。

论文首先分析了GaN器件栅极驱动的特殊需求，明确了米勒电荷抽取与负压关断的功能指标；随后，在系统总体设计中，规划了由半桥驱动级、有源米勒钳位模块、负压关断产生模块构成的驱动架构。详细设计阶段，重点阐述了基于高速比较器与辅助MOSFET的瞬态米勒电流旁路电路，以及基于电荷泵的负压偏置产生电路，并给出了关键参数的计算方法。在仿真实现中，利用LTspice搭建了双脉冲测试平台，通过对比有无钳位与负压的驱动波形，定量验证了该方案对栅极尖峰电压的抑制效果。测试结果表明，所设计的驱动电路可将米勒平台引起的栅极电压过冲从1.8V降低至0.3V以下，关断电压可靠钳位至-3.3V，有效杜绝了误导通；同时，开关损耗降低了约12%，显著提升了该GaN半桥系统的安全性与运行效率。本设计为高可靠性GaN集成驱动提供了工程参考。

第一章绪论

1.1研究背景

近年来，随着5G通信、数据中心电源及电