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氧化镓MESFETs的制备及其电学表现分析案例
目录
TOC\o1-3\h\u32198氧化镓MESFETs的制备及其电学表现分析案例 1
42371.1引言 1
129731.2器件结构与版图设计 1
233911.3器件制备关键工艺 1
63411.4器件测试结果与表征 1
194711.4.1电学参数的提取 1
312111.4.2常温下器件的电学特性 1
150041.4.3器件电学特性对栅极长度的依赖特性 1
引言
MESFETs相比于MOSFETs具有较高的迁移率、较高的
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