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铟镓锌氧薄膜晶体管与非易失性存储器：制备工艺与性能优化的深度探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今数字化时代，电子设备的性能和功能不断升级，对电子器件的要求也日益严苛。薄膜晶体管（ThinFilmTransistor，TFT）作为现代电子系统的关键基础元件，在显示技术、传感器、集成电路等领域发挥着举足轻重的作用。从早期的非晶硅薄膜晶体管到低温多晶硅薄膜晶体管，再到近年来备受瞩目的金属氧化物半导体薄膜晶体管，TFT技术经历了漫长的发展历程，每一次技术突破都推动着电子产业迈向新的台阶。

铟镓锌氧（IndiumGalliumZincOxide，IGZO）薄膜晶体管凭借其独特的优势