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CN119630006A 沟槽p型氧化镓结型势垒肖特基二极管及其制备方法 （西安电子科技大学广州研究院）.pdfVIP

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  • 2026-07-09 发布于重庆
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CN119630006A 沟槽p型氧化镓结型势垒肖特基二极管及其制备方法 （西安电子科技大学广州研究院）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119630006A

    (43)申请公布日2025.03.14

    (21)申请号202411811737.1H10D62/10(2025.01)

    (22)申请日2024.12.

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