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2024年长鑫存储校招面试+笔试全套试题及答案

一、单项选择题（总共10题，每题2分）

1.在半导体存储器中，DRAM和SRAM的主要区别是（）。

A.DRAM需要刷新，SRAM不需要

B.SRAM速度比DRAM快

C.DRAM集成度比SRAM高

D.以上都是

2.以下哪种存储技术属于非易失性存储器？（）

A.DRAM

B.SRAM

C.NANDFlash

D.DDRSDRAM

3.在芯片制造过程中，光刻工艺的主要作用是（）。

A.沉积材料层

B.刻蚀图形

C.形成电路图案

D.掺杂半导体

4.以下哪种工艺节点表示更先进的制程？（）

A.28nm

B.14nm

C.7nm

D.5nm

5.在存储器测试中，BIST（Built-InSelf-Test）的主要作用是（）。

A.提高存储容量

B.减少测试时间

C.降低功耗

D.提高良率

6.以下哪种存储器结构采用“1T1C”单元？（）

A.SRAM

B.DRAM

C.NORFlash

D.NAN