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基于SIW基片集成波导的五阶交叉耦合带通滤波器与带外抑制寄生通带结构设计

摘要

随着无线通信系统向高频段、高集成度方向发展，传统金属波导滤波器体积庞大、加工成本高，微带滤波器则存在辐射损耗大、品质因数低的局限。

基片集成波导（SIW）兼具波导低损耗与平面电路可集成优势，但现有SIW滤波器在带外选择性及寄生通带抑制方面仍面临挑战。

本文以C波段（5～6GHz）为设计频段，利用SIW低损耗特性，设计了一款紧凑型五阶交叉耦合（CQ）带通滤波器。通过引入容性耦合窗构建交叉通路，在通带两侧引入可控传输零点，显著提升带外陡降性能。

设计过程涵盖指标需求分析、腔体谐振器建模、耦合矩阵综合与拓扑优化、寄生通带抑制结构加载等环节。核心创新在于采用单层SIW平台实现非相邻腔体耦合，并结合缺陷地结构（DGS）和电磁带隙结构（EBG）抑制高次模寄生通带。

全波电磁仿真验证表明，滤波器中心频率5.5GHz，3dB带宽400MHz，带内插入损耗低于1.2dB，回波损耗优于18dB，通带两侧传输零点抑制深度超过40dB，寄生通带被推移至12GHz以上。

本文为下一代微波毫米波系统提供了高选择性、宽阻带抑制的紧凑型滤波解决方案。

第一章绪论

1.1研究背景

当前，5G通信、卫星导航、雷达探测等微波系统对射频前端滤波器的性能要求日益严苛。这些系统需在拥挤的频谱环境中精准筛选信号