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ZnO薄膜的研究综述
目录
ZnO薄膜的研究综述 0
1.1ZnO薄膜的制备方法 0
1.1.1原子层沉积法 0
1.1.2多层溶胶-凝胶法 1
1.1.3等离子体辅助反应蒸发法(PARE) 2
1.2ZnO薄膜的特性 3
1.1.1晶体结构 4
1.1.2光电特性 5
1.1.3气敏特性 6
本征氧化锌是一种宽带隙(3.2eV)n型氧化物半导体材料，激子束缚(60meV)能比其他相同带隙的材料高的氧化物半导体材料，它的化学稳定性较高、还具备良好的电学性能和光学性质。ZnO薄膜的形状，结构和性能直接影响着Si基
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