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6G太赫兹通信芯片的材料与工艺突破路径

引言

随着第五代移动通信技术（5G）在全球范围内的规模部署与成熟，人类社会正加速迈入万物互联的智能时代。然而，面对未来6G网络对超高速率、超低时延、超高可靠性和海量连接的极致追求，现有的通信架构与物理层技术正面临着前所未有的挑战。在6G愿景的诸多关键技术中，太赫兹频段被普遍视为实现百Gbps至Tbps级传输速率的关键频谱资源。太赫兹频段位于微波与红外光之间，具有巨大的带宽潜力和独特的物理特性，能够为未来的沉浸式通信、全息通信以及通感一体化应用提供坚实的物理基础。

然而，要真正释放太赫兹频段的潜力，构建面向6G的太赫兹通信芯片，面临着材料科学、半导体工艺、