存储测试机行业专题：AI算力催生HBM带动测试机新需求，国产设备商加速突破.pptx

;;;;;;TEL，东吴证券研究所;在相同产能下，集成电路设备投资量随制程节点先进程度提升而大幅增长。当技术节点向5nm甚至更小的方向升级时，集成电路的制造需要采用昂贵的极紫外光刻机（EUV），或多重模版工艺

（重复多次刻蚀及薄膜沉积工序以实现更小的线宽），需要投入更多且先进的光刻机、刻蚀设备和薄膜沉积设备，带动投资规模提升。

（1）逻辑：以3nm技术节点为例，每单位产能的建设需要约50万美元的资本开支投入，是14nm的两倍以上，28nm的3.5倍左右。（2）存储：DRAM方面,当DRAM制程达到10nm时，每千片晶圆月产能的设备投资额上升至9000万美元。NAND方面,以2015