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高分辨电子显微分析方法;;高分辨电子显微像的形成;;三、像平面上高分辨电子显微像的形成;关于函数χ(u,v);透射电子显微镜的分辨率;;一、晶格条纹像;二、一维结构像;三、二维晶格像;;高分辨电子显微图像的实验技术;;高分辨电子显微图像的实验技术;高分辨电子显微图像的实验技术;高分辨电子显微方法的应用;图a是一种超导氧化物中位错的高分辨像，中心区域的箭头表示存在位错，在位错核芯处可看到晶格畸变。

图b是噪音过滤后位错核芯处的结构，可看到箭头处插入了半个原子面，表示这个位错是局域的。;图示为硅中Z字型缺陷的高分辨电子像，即Z字型层错偶极子，这个位错是两个扩展位错在滑移面上移动时相互作用，夹着一片层错AB相互连接而不能运动的缺陷。且层错的上部和下部分别存在插入原子层。;图示是YBa2Cu3O7超导氧化物中位错环的高分辨电子显微想，途中两个箭头所指的部分有一个多余的原子面，这个多余的原子面对应于晶体生长阶段引入的Cu-O层，在箭头处存在位错矢量平行于c轴的刃型位错。;二、晶界和相界面

一般情况下，无机材料是由细小晶粒的集合体或不同物质（或相）的复合体构成的，材料的特性对它们的集合体或复合体的界面，即晶界或相界面的结构很敏感。晶界和相界面的研究已成为材料科学研究的重要领域。;氮化硅的晶界和三叉晶界处的高分辨电子显微像。

上图中，在Si3N4晶界和三叉晶界中都存在着SiO2的非晶层；一般情况