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基于1T1C结构的FeRAM铁电存储阵列读写电路与参考电压自适应刷新设计

摘要

铁电随机存取存储器凭借其非易失性、低功耗与高写入速度等优势，在物联网与嵌入式领域极具潜力。然而，基于1T1C结构的FeRAM在长期极化翻转下易产生疲劳效应，导致铁电电容可翻转电荷量衰减，读写窗口急剧缩小，传统固定参考电压方案面临失效风险。本课题针对此痛点，设计了一套包含灵敏放大器与参考电压生成电路的读写系统，并提出自适应边限调节与周期性刷新策略。

全文遵循“需求分析→总体设计→详细设计→实现→测试”的工程逻辑。首先分析疲劳效应对读出裕度的影响，明确自适应追踪的设计需求；其次构建阵列架构与模块划分，设计电荷再分配型灵敏放大器与动态参考电压生成网络；进而深入推导自适应边限算法与刷新调度状态机，完成电路与逻辑的详细设计；最终通过仿真验证电路功能与性能。核心创新点在于引入基于翻转次数的参考电压动态补偿机制，结合疲劳感知的周期性刷新，有效延长了1T1CFeRAM的可靠使用寿命。

第一章绪论

1.1研究背景

随着边缘计算与可穿戴设备的爆发式增长，传统易失性存储器如SRAM、DRAM面临静态功耗过高的瓶颈，而Flash则受限于写入速度与耐久性。铁电存储器利用铁电材料的自发极化特性保存数据，断电不丢失，且写入速度可达纳秒级，耐久性远超Flash，成为非易失性存储的理想方案。

目前主流FeRAM采