ZnO基薄膜生长、器件工艺及紫外探测器性能的多维度探究.docx

ZnO基薄膜生长、器件工艺及紫外探测器性能的多维度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，光电子领域不断取得突破，其中紫外探测器作为关键部件，在众多领域展现出不可或缺的作用。从军事国防到生物医学，从环境监测到光通信，紫外探测器的身影无处不在，其性能的优劣直接影响着相关技术的发展与应用。

ZnO作为一种直接宽带隙半导体材料，在室温下禁带宽度达到3.37eV，激子束缚能更是高达60meV。与其他宽禁带半导体材料相比，ZnO具有一系列独特优势。在光学方面，它拥有较高的紫外吸收系数，能够高效地吸收紫外线，这为制备高性能紫外探测器奠定了坚实基础；在电学性能上，ZnO