CN119986303B 面向特高压mos的场景自适应老化测试方法及系统 （浙江广芯微电子有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN119986303B

(45)授权公告日2025.06.24

(21)申请号202510457869.7

(22)申请日2025.04.14

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN119986303A

(43)申请公布日2025.05.13

(73)专利权人浙江广芯微电子有限公司

地址323000浙江省丽水市莲都区南明山

街道七百秧街122号

(72)发明人谢刚刘斌凯湛亚鑫

(74)专利代理机构镇江至睿专利代理事务所(普通合伙)32529

专利代理师王恒静

(51)Int.Cl.

G01R31/26(2020.01)

G01R1/02(2006.01)

G01R1/04(2006.01)

(56)对比文件

WO2023093397A1,2023.06.01CN119595528A,2025.03.11

审查员梁裕

权利要求书3页说明书12页附图2页

(54)发明名称

面向特高压MOS的场景自适应老化测试方法

及系统

(57)摘要

CN119986303B本发明公开了一种面向特高压MOS的场景自适应老化测试方法及系统，涉及MOS测试相关技术领域，该方法包括：建立器件老化测试平台；对目标特高压MOS器件的应用场景信息进行测试条件解析