CN120005620A 在高温下合成核壳纳米晶体的方法 （昭荣化学工业株式会社）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120005620A

(43)申请公布日2025.05.16

(21)申请号202510091267.4

(22)申请日2017.06.06

(30)优先权数据

62/346,1272016.06.06US

(62)分案原申请数据

201780035034.62017.06.06

(71)申请人昭荣化学工业株式会社地址日本东京都

(72)发明人阚世海

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105

专利代理师金拟粲

(51)Int.Cl.

C09K11/88(2006.01)

B82Y20/00(2011.01)

B82Y40/00(2011.01)

C30B7/14(2006.01)

C30B29/48(2006.01)

权利要求书1页说明书23页附图1页

(54)发明名称

在高温下合成核壳纳米晶体的方法

(57)摘要

CN120005620A本发明属于纳米结构合成领域。本发明涉及制备纳米结构，特别是III_V族和II_VI族半导体纳米结构，例如InP/ZnSe或In/ZnSe/ZnS核/壳纳米颗粒的方法。本发明还涉及合成纳米结构的高

CN120005620A

CN120005620A权利要