锂氮共掺杂p型ZnO的制备工艺与光电器件性能优化研究.docx

锂氮共掺杂p型ZnO的制备工艺与光电器件性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，半导体材料作为现代电子学的基石，其性能的优化与创新对于推动光电器件领域的进步起着至关重要的作用。氧化锌（ZnO）作为一种极具潜力的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙宽禁带化合物半导体材料，拥有一系列卓越的性质，使其在众多领域展现出广阔的应用前景。

ZnO的禁带宽度高达3.37eV，这一特性使其对紫外光具有良好的响应，为制造高性能的紫外光探测器提供了可能，可广泛应用于环境监测、生物医学检测等领域中对紫外线的精准探测。其激子结合能高达60meV，远大于室温下的热离化能，这使得ZnO在室温