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400V 19A N沟道MOSFET特性与应用.pdfVIP

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  • 2026-07-15 发布于北京
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400V 19A N沟道MOSFET特性与应用.pdf

    2012年2月

    UniFETTM

    FDP19N40N沟道t

    MOSFET400V，19A，0.

    24

    特性描述

    =0=10=9

    •导通电阻.2（典型值）@VGSV，ID.5A这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用Fairchild专有的平面条

    •低栅极电荷（典型值32nC）纹DMOS技术制造。

    •低Crss（典型值20pF）

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