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离子束溅射生长Ge纳米点：原理、工艺与性能研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的迅猛发展，对高速、大容量、低功耗的光通信和光计算需求日益增长，硅基光电子技术应运而生。硅基光电子技术起源于20世纪80年代，彼时基于CMOS工艺的集成电路发展迅速，与此同时光纤技术也日益普及，光作为另一种信息载体展现出独特优势，在此背景下Soref教授于1986年首次提出硅基光电子概念，旨在利用与微电子兼容工艺制造光子芯片并实现光电集成，此后硅基光电子技术逐渐发展。进入21世纪，互联网兴起带来网络带宽需求暴增，硅基光电子基于CMOS成熟工艺和大尺寸晶圆的特点，契合大规模