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先进制程钴互连与钌互连：薄膜沉积设备与金属有机前驱体的配套竞争格局

摘要

本报告聚焦半导体先进制程中钴（Co）与钌（Ru）互连技术引发的设备与材料交叉竞争，核心分析对象为化学气相沉积（CVD）与原子层沉积（ALD）设备供应商及其配套金属有机前驱体厂商。

核心发现表明，钴与钌的竞争本质上是“设备-前驱体”配套体系的系统性对抗。钴互连体系依赖成熟的CVD设备平台与钴羰基前驱体的热稳定性匹配，在形核层连续性与填充能力上表现稳健，但受限于前驱体输运死体积导致的颗粒污染风险。钌互连体系凭借ALD设备在超薄形核层与高深宽比填充上的原子级精度优势，正快速渗透5nm以下节点，但其前驱体热稳定性窗口更窄，对设备输运系统的温度-压力耦合控制提出极高要求。

这一技术路线之争正在重构供应链：设备商与前驱体供应商从松散交易转向深度绑定，形成“应用材料-三星SDI”与“泛林研究-默克”等封闭配套联盟，取代铜互连的开放式供应链格局。报告预判，钌在3nm以下节点将占据主导，但钴在成熟制程与特定结构中的成本优势使其不会完全退出，双体系并行将倒逼设备商开发兼容平台。

报告第一章阐明分析背景与框架；第二章扫描宏观技术环境与行业壁垒；第三章量化市场规模与竞争格局；第四章深度剖析应用材料、泛林研究、东京电子等设备巨头及默克、三星SDI等前驱体龙头的配套策略；第五章拆解产品、定价、供应链与技术策略；第六章进